أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات رسمياً اليوم، الخميس، 12 فبراير 2026، عن بدئها الإنتاج الضخم وشحن الجيل السادس من ذاكرة النطاق الترددي العالي “HBM4” لأول مرة في تاريخ الصناعة، في خطوة استراتيجية تستهدف استعادة ريادتها التقنية في سوق رقائق الذاكرة المتقدمة.
وتأتي هذه الانطلاقة لتلبية الطلب الهائل والمتزايد من شركات التكنولوجيا الكبرى على المكونات الأساسية لتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي التوليدي، حيث كشفت الشركة أن الشحنات التجارية بدأت بالفعل في الوصول إلى العملاء، وعلى رأسهم شركة “إنفيديا” لاستخدامها في منصة الحوسبة القادمة “فيرا روبين” (Vera Rubin).
وتتميز رقائق “HBM4” الجديدة بقدرات تقنية فائقة، حيث توفر سرعة نقل بيانات ثابتة تصل إلى 11.7 جيجابت في الثانية، مع إمكانية تعزيزها لتصل إلى 13 جيجابت في الثانية، وهو ما يمثل زيادة في الأداء بنسبة تزيد عن 22% مقارنة بالجيل السابق “HBM3E”.
وقد اعتمدت سامسونج في تصنيع هذه الرقائق على تقنية “1c DRAM” المتطورة (بدقة تصنيع فئة 10 نانومتر) وعملية سبك بدقة 4 نانومتر، مما مكنها من تحقيق استقرار في كفاءة الإنتاج ورفع كفاءة استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 40%، وهو أمر حيوي لمراكز البيانات العملاقة التي تعاني من تحديات الارتفاع المفرط في الحرارة واستهلاك الكهرباء.
ولا تقتصر طموحات العملاق الكوري الجنوبي عند هذا الحد، إذ توقعت الشركة أن تتضاعف مبيعاتها من رقائق “HBM” أكثر من ثلاث مرات خلال عام 2026 مقارنة بالعام الماضي، مدعومة بتوسيع طاقتها الإنتاجية بشكل استباقي لمواجهة المنافسة الشرسة من شركتي “إس كيه هاينكس” و”مايكرون”.
كما كشفت خارطة الطريق التي أعلنتها سامسونج اليوم عن خطط لإرسال عينات من ذاكرة “HBM4E” المطورة في النصف الثاني من العام الجاري، على أن تبدأ في تقديم حلول الذاكرة المخصصة (Custom HBM) التي تلبي المواصفات الدقيقة لكل عميل بحلول عام 2027، مما يرسخ مكانتها كأكبر مورد للوقود التقني اللازم لثورة الذكاء الاصطناعي القادمة.
